Samsung y SK Hynix se preparan para iniciar la producción masiva de sus chips de memoria de alto ancho de banda (HBM) de sexta generación el próximo año. Denominada HBM4, esta última generación de chips de memoria está diseñada específicamente para cargas de trabajo de inteligencia artificial (IA) y ofrece importantes mejoras en rendimiento y capacidad de personalización. Según informes, los esfuerzos de producción de Samsung comenzarán en febrero de 2026, mientras que SK Hynix completará la fabricación en septiembre de 2026. Cabe destacar que la mayoría de estos chips se utilizarán en el sistema acelerador de IA Vera Rubin de Nvidia.
Samsung y SK Hynix planean la fabricación de chips HBM4
De acuerdo con el medio surcoreano SEDaily, ambos gigantes semiconductores comenzarán la fabricación masiva de chips de memoria HBM4 para IA. No se espera que Micron y otros actores de la industria comiencen la fabricación de estos chips en 2026, lo que podría permitir a Samsung y SK Hynix ampliar su ventaja sobre el resto del mercado. Incluso entre los dos, el ciclo de producción de Samsung comenzará antes que el de SK, en febrero.
Curiosamente, la publicación afirma que es poco probable que estos nuevos chips de memoria estén disponibles para el mercado de consumo. En cambio, ambas compañías tienen acuerdos separados con Nvidia para ofrecer HBM4 para su acelerador de IA Vera Rubin. Un reciente informe de SamMobile indicó que Samsung había superado las pruebas de calidad de Nvidia, lo que la hace elegible para suministrar los chips requeridos.
Por otro lado, se dice que SK Hynix está colaborando con TSMC para adoptar un proceso lógico de 12nm para el die base, que funcionará como el cerebro de HBM4. Samsung está utilizando un proceso lógico de 10nm para el mismo propósito. Se informa que el chip de memoria ofrecerá el doble de ancho de banda junto con ganancias en eficiencia energética de casi el 40%. HBM4 también ofrece personalización con productos de IA y no IA, lo que permite una mejor integración con los chipsets.
En cuanto al volumen de producción, se dice que la fabricación mensual de DRAM de Samsung, con 650.000 unidades, supera las 550.000 unidades de SK Hynix. La misma diferencia se observa en la producción de chips HBM, con Samsung liderando a SK por casi 10.000 unidades al mes (170.000 frente a 160.000 unidades).
A pesar de la producción masiva, el mercado de consumo no se beneficiará, ya que se informa que la capacidad de HBM de Samsung y SK Hynix para el próximo año está reservada por las empresas de IA. Esto significa que la escasez actual de RAM probablemente continúe durante todo 2026.
