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Memorias resistentes a temperaturas superiores a 300°C

by Editora de Negocio

Un avance tecnológico desarrollado en la Universidad del Sur de California (USC) ha logrado romper una barrera técnica que, durante décadas, limitó el uso de dispositivos de memoria en entornos que superaban los 300 grados centígrados. Un equipo de investigadores ha creado un chip de memoria basado en la tecnología de memristores capaz de operar de manera estable a temperaturas extremas de hasta 700 °C.

Innovación en computación y almacenamiento

El dispositivo desarrollado en la Escuela de Ingeniería Viterbi de la USC, bajo la dirección del catedrático de ingeniería eléctrica Joshua Yang, integra en un solo componente la capacidad de almacenar datos y realizar cálculos simultáneamente. Esta característica permite ejecutar directamente la multiplicación de matrices para inteligencia artificial, logrando una computación en memoria con una eficiencia varios órdenes de magnitud superior a las soluciones actuales.

Innovación en computación y almacenamiento

Según el estudio publicado en la revista Science el 26 de marzo de 2026, el componente nanoscópico demostró una resistencia excepcional: mantuvo la información durante más de 50 horas a 700 °C —una temperatura que supera la registrada en la superficie de Venus— y completó más de mil millones de ciclos de lectura y escritura. Además, el dispositivo opera con un voltaje de apenas 1,5 voltios y alcanza velocidades de decenas de nanosegundos.

Arquitectura de materiales y origen del hallazgo

La clave de este rendimiento reside en una arquitectura de tres capas diseñada para combatir la migración atómica, fenómeno que habitualmente provoca cortocircuitos permanentes en los circuitos electrónicos al elevarse la temperatura. La estructura se compone de:

  • Electrodo superior: Fabricado con tungsteno, el elemento con el punto de fusión más alto de la tabla periódica.
  • Capa central: Compuesta por óxido de hafnio, un material cerámico estándar en la industria de los semiconductores.
  • Base: Una lámina de grafeno de un solo átomo de espesor.
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Joshua Yang ha señalado que este descubrimiento fue accidental. El equipo de investigación probaba diversas combinaciones de materiales sin expectativas concretas cuando obtuvieron los resultados que permitieron superar las limitaciones térmicas de la ingeniería electrónica actual.

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